onsemi SS8550DBU
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSB564AOBU
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi SS8550DBU fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -25 V, 200 MHz, 1 W, -1.5 A, 160
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
SS8550 Series 25 V 1.5 A Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92.3
25V 1W 1.5A PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT TO92 PNP 2W BULK
Transistor GP BJT PNP 25V 1.5A TO92-3
1.5 A, 25 V PNP Epitaxial Silicon Biplolar Junction Transistor
Trans GP BJT PNP 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
Transistor SS8550 2 Watt Amplifier PNP TO-92
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -25V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: -1.5A; DC Current Gain hFE: 160hFE;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-25 V
Collector Emitter Saturation Voltage-280 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min160
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height5.33 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité