onsemi SS8550CTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2025-10-08
LTD Date2026-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSB564ACGTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
onsemiKSB564AYTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSB564 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi SS8550CTA fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
SS8550 Series PNP 1 W 25 V 1.5 A Through Hole Epitaxial Transistor - TO-92
Bipolar Transistors - BJT TO92 PNP 2W A/P
Trans GP BJT PNP 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
1.5 A, 25 V PNP Epitaxial Silicon Biplolar Junction Transistor
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage-280 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-25 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité