onsemi SMMBT4401LT1G

Name: onsemi SMMBT4401LT1G
Brand: onsemi
SKU: SMMBT4401LT1G

ON Semi SMMBT4401LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 40 V; 3-Pin SOT-23

$ 0.066

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SMMBT4401LT1G	102 000	3K						0,033	2d
Newark	2	SMMBT4401LT1G	990	1	Cut Tape	0,273	0,172	0,112	0,078	0,078
Verical	3	SMMBT4401LT1G	3 000	204					0,060	0,035
Arrow Electronics	2	SMMBT4401LT1G	3 000	1		0,244	0,123	0,093	0,060	0,046
Future Electronics	3	SMMBT4401LT1G	24 000	3K	Tape & Reel					0,047

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Master Electronics

Datasheet7 pagesIl y a 9 ans

Datasheet9 pagesIl y a 1 an

IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

onsemi

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-04-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiSMMBT2222ALT1G

ON SEMI SMMBT2222ALT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 40 V, 3-PIN SOT-23

Détails

onsemiMMBT4401LT1G

Transistor; Bipolar; Si; NPN; Switching; VCEO 40VDC; IC 600mA; PD 225mW; SOT-23; hFE 40

Détails

onsemiMMBT4401LT3G

Bipolar Transistors (BJT); MMBT4401LT3G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 600 mA; 3

Détails

Diodes Inc.DDTD123TC-7-F

Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm

Détails

Diodes Inc.DDTD123EC-7-F

DDTD Series 50 V 500 mA NPN Pre-Biased Surface Mount Transistor - SOT-23-3

Détails

Diodes Inc.DDTD113ZC-7-F

Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi SMMBT4401LT1G fournies par ses distributeurs.

ON Semi SMMBT4401LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.6 A; 40 V; 3-Pin SOT-23

Epart123

40V 300mW 100@150mA,1V 600mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

40V 225mW 20@0.1mA,1.0V 600mA NPN SOT-23 Bipolar (BJT) ROHS

EBEE

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Semicontronic

40 V, 600 mA NPN Bipolar Junction Transistor

onsemi

SMMBT4401 Series 40 V 600 mA SMT NPN Silicon Switching Transistor - SOT-23-3

Future Electronics

Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Verical

Switching Transistor NPN Silicon | TRANS NPN 40V 0.6A SOT23

Win Source

Bipolar Transistors - BJT SMAL SGNL TRANS MINI BLK

Fly-Wing Technology

TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 600mA; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Farnell

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Newark

Future Electronics

Onlinecomponents.com

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23-3

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)60 V

Collector Emitter Breakdown Voltage40 V

Collector Emitter Saturation Voltage750 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency250 MHz

Gain Bandwidth Product250 MHz

hFE Min40

Max Breakdown Voltage40 V

Max Collector Current600 mA

Max Frequency100 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation300 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation300 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency250 MHz

Dimensions

Height1.01 mm

Length3.04 mm

Width1.4 mm

Fiches techniques et documents

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IHS

RS (Formerly Allied Electronics)

onsemi

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

RatingsAEC-Q101

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A