MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-20V; Continuous Drain Current, Id:-6.2A; On Resistance, Rds(on):33ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V RoHS Compliant: Yes

Newark

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

SI 4963DY

Historique des stocks

Tendance sur 3 mois : +0.00%

Modèles CAO

0 modèles disponibles

Pièces de rechange

0 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOIC N

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.2 A

Current7 A

Drain to Source Resistance33 mΩ

Fall Time37 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Breakdown Voltage20 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

Power Dissipation2 W

Rise Time11 ns

Turn-Off Delay Time57 ns

Voltage30 V

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi SI4963DY.

IHS

Datasheet6 pagesIl y a 25 ans

Newark

Conformité

Classification environnementale

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans