onsemi SFF9250L
Obsolete
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Distributeur
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Prix de gros
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi SFF9250L.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-12-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi SFF9250L fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole P-Channel Single Mosfet Transistor 12.6A Tc 12.6A 90W 65ns
MOSFETs P-Ch/200V/12.6a 0.23Ohm Logic Level
Trans MOSFET P-CH 200V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF
Power Field-Effect Transistor, 12.6A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
90W(Tc) 20V 2V@ 250µA 120nC@ 5V 1individualPChannel 200V 230mΩ@ 6.3A,5V 12.6A 3.25nF@25V TO-3PF Through hole mounting 16.2mm*5mm*20.1mm
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.6 A
Current Rating-12.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance230 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.25 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max230 mΩ
Rise Time150 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Voltage Rating (DC)-200 V
Fiches techniques et documents
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