onsemi RFD3055LESM
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Pièces détachées
onsemiHUF76407D3S
11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
InfineonIRFR9024NTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
InfineonIRFR9024NTRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
InfineonIRFR9024NPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.175Ohm;ID -11A;D-Pak (TO-252AA);PD 38W
Descriptions
Descriptions de onsemi RFD3055LESM fournies par ses distributeurs.
PWR MOS 60V/12A/0.150 OHM N-CH LOGIC-LVL ESD RATED TO-252A
MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
Power Field-Effect Transistor
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
11A, 60V, 0.107 OHM, LOGIC LEVEL, N-CHANNEL POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance107 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time39 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance350 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation38 W
Rds On Max107 mΩ
Rise Time105 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité