onsemi NZT7053
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DCP56-16-13
TRANS NPN 80V 1A SOT-223 / Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi NZT7053 fournies par ses distributeurs.
NZT7 Series NPN 1 W 100 V 1.5 A Surface Mount Darlington Transistor - SOT-223
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
1.5V@ 100¦ÌA,100mA NPN - Darlington 625mW 12V 200nA 100V 100V 1.5A SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
Trans Darlington NPN 100V 1.5A 625mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
This device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 1.0 A and high breakdown voltage. Sourced from Process 06.
Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:1W; DC Current Gain Min (hfe):1000; Package/Case:SOT-223; C-E Breakdown Voltage:100V; DC Collector Current:1.5A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
TRANSISTOR DARL NPN 1.5A 100V SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:20000; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:1000; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min1000
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.56 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité