onsemi NVMTS0D4N04CLTXG
$ 11.52
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVMTS0D4N04CLTXG | 9 000 | 3K | 2d | ||||||||
| DigiKey | NVMTS0D4N04CLTXGOSCT-ND | 5 752 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | NVMTS0D4N04CLTXG | 15 000 | 2d | |||||||||
| Newark | NVMTS0D4N04CLTXG | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NVMTS0D4N04CLTXG | 0 | 750 | Bulk |
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Modèles CAO
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0 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NVMTS0D4N04CLTXG fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, MOSFET, POWER, SINGLE, N-CHANNEL, 40V, 0.4MOHM, 553.8A
Power Field-Effect Transistor, 553.8A I(D), 40V, 0.00064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AECQ101, N-CH, 40V, 553.8A, 244W; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 553.8A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)553.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance640 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation244 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Turn-Off Delay Time217 ns
Turn-On Delay Time45.6 ns
Dimensions
Height1.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité