onsemi NVMD3P03R2G
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi NVMD3P03R2G fournies par ses distributeurs.
Dual P-Channel Power MOSFET -30V, -3.05A, 85mΩ Power MOSFET -30V -3.05A 85 mOhm Dual P-Channel SO-8
Trans MOSFET P-CH 30V 3.05A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, AEC-Q101, DUAL PCH, -30V, SOIC
MOSFET PFET SO8 30V 3A 85 MOHM
2W 20V 2.5V@ 250µA 25nC@ 10V 2individualPChannel 30V 85mΩ@ 3.05A,10V 2.34A 750pF@24V SOP SMD mount
Power Field-Effect Transistor, 2.34A I(D), 30V, 0.085ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET, AEC-Q101, DUAL PCH, -30V, SOIC; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -3.05A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.7V; Power Dissipation Pd: 1.25W; Transistor Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight540.001716 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.34 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance85 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max85 mΩ
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité