onsemi NVD5807NT4G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTD17NF03LT4
N-channel 30 V, 0.038 Ohm, 17 A STripFET(TM) II Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD18NF03L
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17A STripFET(TM) II Power MOSFET in a DPAK package
Descriptions
Descriptions de onsemi NVD5807NT4G fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel Power MOSFET 40V, 23A, 31mΩ Power MOSFET 40V 23A 31 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
23 A 40 V 0.031 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 40V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.02Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance31 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance603 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation33 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation33 W
Rds On Max31 mΩ
Rise Time20.4 ns
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité