onsemi NTMFS4C13NT1G
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP32D4SFB-7B
Mosfet, P-Ch, 30V, 0.4A, Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP32D4SFB-7B
Diodes Inc.DMG4800LFG-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 7.44A, Dfn3030 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4800LFG-7
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4C13NT1G fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel Power Mosfet 30V, 38A, 9.1M/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4C13NT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 38A, 9.1mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
MOSFET NFET SO8FL 30V 38A 9.1MOH
Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
750mW(Ta) 20V 2.1V@ 250¦ÌA 15.2nC@ 10 V 1N 30V 9.1m¦¸@ 30A,10V 7.2A,38A 770pF@15V SO 4.9mm*5.9mm*1.05mm
30V 38A 7.3m´Î@10V30A 21.6W 2.1V@250uA 127pF@15V N Channel 770pF@15V 7.8nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SO-8FL MOSFETs ROHS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.2 A
Drain to Source Resistance9.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation21.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max9.1 mΩ
Schedule B8541290080
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité