onsemi NTMFS4C06NT1G
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Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTMFS4841NT1G
Mosfet Transistor, N Channel, 57 A, 30 V, 4.7 Mohm, 11.5 V, 2.5 V Rohs Compliant: Yes
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4C06NT1G fournies par ses distributeurs.
Mosfet Transistor, N Channel, 69 A, 30 V, 0.0032 Ohm, 10 V, 2.1 V
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 69A, 4mΩ
onsemi N-Channel MOSFET, Vds=30V, 69A, SO-8FL, SMD, 8-Pin
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
N CHANNEL MOSFET, 30V, DFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:69A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Resistance4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.683 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Rds On Max4 mΩ
Rise Time28 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.1 V
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length6.1 mm
Width5.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité