onsemi NTMFS4821NT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-03
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
onsemiNTMFS4955NT1G
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mΩ Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
Diodes Inc.ZXMC3AMCTA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.1 ohm
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4821NT1G fournies par ses distributeurs.
NTMFS4821NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 58 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 58.5A, 6.95mΩ
Single N-Channel 30 V 8.6 mOhm 16 nC 38.5 W Silicon SMT Mosfet - DFN-5
870mW(Ta)，38.5W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 6.95mΩ@ 30A,10V 8.8A，58.5A 1.4nF@12V SO SMD mount 4.9mm*5.8mm*1.05mm
N Channel Mosfet, 30V, 13.8A, Dfn5; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:13.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.8V Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTMFS4821NT1G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingTin
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation870 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation38.5 W
Rds On Max6.95 mΩ
Resistance10.8 MΩ
Rise Time38 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16.6 ns
Turn-On Delay Time13.3 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité