onsemi NTMFS4708NT1G
Obsolete
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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|---|---|---|---|
 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2007-12-31
LTD Date2008-06-30
Pièces détachées
InfineonBSO130N03MSG
1.56W(Ta) 20V 2V@250µA 17nC@10V N-Ch MOSFET 30V 13mΩ@11.1A,10V 9A 1.3nF@15V SOP SMD 4.9mm × 3.9mm × 1.75mm
onsemiNTMFS4707NT1G
Power MOSFET 30 V, 17 A, Single N-Channel SO-8 Flat Lead - for new designs use (NTMFS4823N)
onsemiNTMS4705NR2G
Power MOSFET 30 V, 12 A, Single N-Channel SO-8 - for new designs use (NTMS4801N or NTMS4816N)
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4708NT1G fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs- Power and Small Signal 30V 19A N-Channel
1W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 10mΩ@ 11.5A,10V 19A 970pF@24V SO-FL-8 SMD mount 4.9mm*5.8mm*1.05mm
NTMFS4708NT1G, SINGLE MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating11.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance970 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max10 mΩ
Rise Time4.3 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité