onsemi NTMFS4119NT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIRF7831PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 21A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF8734PBF
N-Ch MOSFET 20V 30V 3.5mΩ@21A,10V 21A 30nC@4.5V 3.175nF@15V SOIC-8 SMD 1.5mm H
STMicroelectronicsSTS26N3LLH6
N-Channel 30 V 0.0044 Ohm SMT STripFET VI DeepGATE Mosfet SOIC-8
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4119NT1G fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET 30V 30A 3.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 32A 30V 2.7MOH
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Mosfet Transistor 11A Ta 30A 2.3W 40ns
900mW(Ta) 12V 2.5V@ 250µA 60nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 3.5mΩ@ 29A,10V 30A 4.8nF@24V SO SMD mount 4.9mm*5.8mm*1.05mm
NTMFS4119NT1G, SINGLE MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins5
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating18 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance3.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance4.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation6.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max3.5 mΩ
Resistance2.3 MΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)30 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité