onsemi NTLJS2103PTAG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
VishaySIA517DJ-T1-GE3
SIA517DJ-T1-GE3 DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,4.3 A,4.5 A,12V,6-PIN SC-70
VishaySIA910EDJ-T1-GE3
Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
VishaySIA533EDJ-T1-GE3
SiA533EDJ Series Dual N & P Channel 12 V 34 mOhm 7.8 W Mosfet - PowerPAK SC-70-6
InfineonIRLML6401TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -12V;RDS(ON) 0.05Ohm;ID -4.3A;Micro3;PD 1.3W;VGS +/-8V
Descriptions
Descriptions de onsemi NTLJS2103PTAG fournies par ses distributeurs.
Single P-Channel µCool™ Power MOSFET -12V -7.7A 40mΩ
Trans MOSFET P-CH 12V 5.9A 6-Pin WDFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-12 V -7.7 A Cool Single P-Channel 2x2 mm WDFN Package
700mW(Ta) 8V 800mV@ 250µA 15nC@ 4.5 V 1individualPChannel 12V 40mΩ@ 3A,4.5V 5.9A 1.157nF@6V DFN SMD mount 2mm*2mm*750μm
NTLJS2103PTAG, SINGLE MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage12 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.157 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.3 W
Min Breakdown Voltage12 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time27 ns
Turn-Off Delay Time74 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RoHSCompliant
Déclarations de conformité