onsemi NTJD4158CT1G

Name: onsemi NTJD4158CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4158CT1G

NTJD4158C: Small Signal MOSFET 30V 880mA 260 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363

$ 0.116

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	NTJD4158CT1G	12 479	5	Cut Tape		0,292	0,193	0,137	0,137
Verical		NTJD4158CT1G	6 000	4292						0,078
Arrow Electronics		NTJD4158CT1G	5	1		0,071	0,071	0,071	0,071	0,071
Rochester Electronics		NTJD4158CT1G	6 000					0,084	0,070	0,062	19h
Onlinecomponents.com		NTJD4158CT1G	0	3K	Bulk					0,083

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Farnell

Datasheet7 pagesIl y a 17 ans

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

IHS

onsemi

element14 APAC

Master Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-12-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNTJD4401NT1

Dual N-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection 20V 630mA 375mΩ

Détails

VishaySI1902DL-T1-GE3

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)

Détails

InfineonBSD235NH6327XTSA1

Mosfet, N-Ch, 20V, 0.95A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1

Détails

onsemiNTJD4152PT1G

Dual P-Channel Small Signal MOSFET with ESD Protection -20V -0.88A 260mΩ

Détails

onsemiNVJD4401NT1G

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.91A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Détails

InfineonBSD840NH6327XTSA1

Mosfet, N-Ch, 20V, 0.88A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTJD4158CT1G fournies par ses distributeurs.

NTJD4158C: Small Signal MOSFET 30V 880mA 260 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363

North Star Micro

Trans MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.25A/0.88A 6-Pin SC-88 T/R / MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363

Win Source

Dual N & P-Channel 30/20V 1.5mOhm 270 mW Small Signal MOSFET SOT-363

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

PFET SC88 20V .88A 1OHM; Transistor Polarity: N and P Channel; Continuous Drain Current Id: 250mA; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1.2V; Power

Farnell

DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SC-88; Channel Type:Complementary N and P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:30V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:250mA; No. of Pins:6Pins RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

Farnell

Newark

Future Electronics

Rochester Electronics

iiiC

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTJD4158CT1G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-363-6

Number of Pins6

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)250 mA

Current Rating250 mA

Drain to Source Breakdown Voltage-20 V

Drain to Source Resistance2.5 Ω

Element ConfigurationDual

Fall Time3.5 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)12 V

Input Capacitance33 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation270 mW

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements2

PackagingTape and Reel

Power Dissipation270 mW

Rds On Max1.5 Ω

Resistance1.5 Ω

Rise Time6.5 ns

Schedule B8541210080

Threshold Voltage1.2 V

Turn-Off Delay Time13.5 ns

Turn-On Delay Time15 ns

Dimensions

Height1 mm

Length2.2 mm

Width1.35 mm

Fiches techniques et documents

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Farnell

Datasheet7 pagesIl y a 17 ans

Datasheet10 pagesIl y a 6 ans

IHS

onsemi

element14 APAC

Master Electronics

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A