onsemi NTHD3100CT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 / Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi NTHD3100CT1G fournies par ses distributeurs.
N&P-Channel 20 V 80 mOhm 2.3 nC 1.1 W SMT Power Mosfet - ChipFET-8
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Current Rating2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance165 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time11.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité