onsemi NTF5P03T3G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NTF5P03T3G fournies par ses distributeurs.
P-Channel 30 V 100 mOhm 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223
NTF5P03T3G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.9 A, 30 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
onsemi PChannel EnhancedMOSTube, Vds=30 V, 2.9 A, SOT-223encapsulation, surface mount, 3Pin
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
P Channel Mosfet, -30V, 5.2A, Sot-223, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:3.13W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTF5P03T3G.
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -5.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 24 / Rise Time ns = 45 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 3.1
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Current Rating-5.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance950 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.56 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 MΩ
Rise Time45 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.75 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité