onsemi NTF3055-100T1G
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi NTF3055-100T1G fournies par ses distributeurs.
N-Channel 60 V 110 mOhm 2.1 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-223
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),SOT-223
Single N-Channel Power MOSFET 60V, 3A, 100mΩ
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 68VDC, RDS(ON) 88 MILLIOHMS, ID 3A, SOT-223 (TO-261),-55C
NTF3055-100T1G,NFET SOT223 60V 3A 0.100R <AZ
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
N Channel Mosfet, 60V, 3A, Sot-223, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:3A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTF3055-100T1G.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance455 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité