onsemi NDT3055
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
InfineonBSP320SH6327XTSA1
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 9.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
Descriptions
Descriptions de onsemi NDT3055 fournies par ses distributeurs.
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 4A, 100mΩ
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
60V N-Fet 100 Mo Sot223 Rohs Compliant: Yes
60V 4A 3W 100mΩ@4A,10V N Channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NDT3055,004, PLASTIC MOLDED, S OT-223 PKG, SMD (47)<AZ
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Current Rating3.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Dual Supply Voltage60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance250 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time18 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité