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onsemi NDS355N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.6A, 125mΩ
Obsolete
Fiche technique
Page du fabricant

Prix et stock

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Distributeur
SKU
Minimum
Emballage
Prix de gros
Win Source
WS-NDS355N
2 300
35
USD
1,194
0,970
0,970
12h
Worldway Electronics
NDS355N
26 032
7
Tape & Reel
USD
0,095
0,093
0,089
0,088
10h
RC Electronics
NDS355N
67 101
1
USD
0,330
0,300
0,280
0,260
0,250
4d
SHENGYU ELECTRONICS
NDS355N
28 566
1
USD
0,288
0,282
0,270
0,260
0,250
5d
ZTZ Technology Limited
NDS355N
21 739
USD
0,269
0,247
0,226
0,183
0,183
>1wk

Fiches techniques et documents

Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi NDS355N.

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Technical Drawing1 pageIl y a 6 ans

IHS

Newark

onsemi

Jameco (USA)

Modèles CAO

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2021-02-17
LTD Date2021-08-17
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

Pièces détachées

onsemiFDN361AN
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SuperSOT T/R
Détails
onsemiFDN337N
N-Channel Logic-Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 2.2A, 65mΩ
Détails
onsemiNDS351AN
N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 30V, 1.4A, 160mΩ
Détails
InfineonIRLML9301TRPBF
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 0.064ohm; 1.3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Détails
Diodes Inc.DMP3099L-13
DMP3099L Series 30 V 3.8 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Détails
InfineonIRLML2030TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NDS355N fournies par ses distributeurs.

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 30V, 1.6A, 125mΩ
onsemi
N-Channel 30 V 0.125 Ohm Logic Level Enhance Mode Field Effect Transistor-SSOT-3
Future Electronics
MOSFET, N, SMD, SSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.6A; Package / Case:SuperSOT-3; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
These N-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications in notebook computers, portable phones, PCMICA cards, and other battery powered circuits where fast switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
Fairchild Semiconductor

Images

Jameco (USA)
Newark
Conrad
Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • NDS355N.