onsemi NDS332P

Transistor MOSFET P Channel 20 Volt 1 Amp 3 Pin Supersot Tape and Reel
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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.DMP2004K-7
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.6A; 0.55W; SOT23
Diodes Inc.DMN2004K-7
DMN2004K Series N-Channel 20 V 0.55 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.057ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
onsemiFDN304P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 1.8V Specified, -20V, -2.4A, 52mΩ
onsemiFDN340P
Transistor MOSFET P Channel 20 Volt 2 Amp 3 Pin Supersot Tape and Reel
onsemiFDN335N
N-Channel PowerTrench™ MOSFET, 2.5V Specified, 20V, 1.7A, 70mΩ

Descriptions

Descriptions de onsemi NDS332P fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET P Channel 20 Volt 1 Amp 3 Pin Supersot Tape and Reel
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor -20V, -1A, 0.41Ω
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -2.7V; Threshold Voltage Vgs: -600mV; Power Dissipati
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -1 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 410 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 45 / Rise Time ns = 45 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) mW = 500
These P-Channel logic level enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management, portable electronics, and other battery powered circuits where fast high-side switching, and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • NDS332P.
  • NDS332P..
  • NDS332P....
  • NDS332P.....