onsemi MUN2131T1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-04-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMUN5131T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiMUN5111T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
ROHMDTA143EUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHMDTA143ZUAT106
PNP Pre-Biased Transistor 300mV@250µA,5mA 200mW 500nA 50V 100mA SOT SMD 2mm×1.25mm×800μm
ROHMDTA143XUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi MUN2131T1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
PNP - Pre-Biased 338mW 500nA 50V 100mA SC-59 SMD mount 2.9mm*1.5mm*1.09mm
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59 / Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 230 mW Surface Mount SC-59
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min8
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation338 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation230 mW
Voltage Rating (DC)-50 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité