onsemi MSD601-RT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMSD1819A-RT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMSC2712GT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Surface Mount
onsemiBC846BWT1G
Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ROHMDTC123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi MSD601-RT1G fournies par ses distributeurs.
MSD Series 50 V 100 mA NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor - SC-59
50V 200mW 100mA 210@2mA10V 500mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SC-59 Bipolar Transistors - BJT ROHS
500mV@ 10mA,100mA NPN 200mW 7V 100nA 60V 50V 100mA SC-59 SMD mount 2.9mm*1.5mm*1.09mm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Bjt Single, Npn, 50V, 100Ma; |Onsemi MSD601-RT1G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min210
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité