onsemi MSD601-RT1G
$ 0.05
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MSD601-RT1G | 36 000 | 33K | 2d | ||||||||
| Verical | MSD601-RT1G | 225 000 | 14852 | |||||||||
| Master Electronics | MSD601-RT1G | 3 000 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | MSD601-RT1G | 3 000 | 3K | Bulk | ||||||||
| Rochester Electronics | MSD601-RT1G | 336 000 | 22h |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.05
$ 0.025
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Stock
1,415,177
298,914
298,914
Authorized Distributors
6
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
SC
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
150 MHz
150 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
210
210
210
Power Dissipation
200 mW
200 mW
200 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-08-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMSD1819A-RT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMSC2712GT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Surface Mount
onsemiBC846BWT1G
Bipolar Transistors (BJT); BC846BWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 65 V; 100 mA
ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ROHMDTC123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi MSD601-RT1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MSD Series 50 V 100 mA NPN Silicon General Purpose Amplifier Transistor - SC-59
50V 200mW 100mA 210@2mA10V 500mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SC-59 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Bipolar Transistor, Npn, 50V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:200Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MSD601-RT1G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min210
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité