onsemi MPSA43
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1991-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MPSA43 fournies par ses distributeurs.
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 25 @ 1mA 10V 500mA 625mW 50MHz
NPN HIGH VOLTAGE AMPLIFIER Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Trans GP BJT NPN 200V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
100 mA 200 V NPN Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-92
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:200V; Transition Frequency Typ, ft:50MHz; Power Dissipation, Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain Max (hfe):50 ;RoHS Compliant: Yes
This device is designed for application as a video output to drive color CRT and other high voltage applications. Sourced from Process 48. See MPSA42 for characteristics.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage200 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
TerminationThrough Hole
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height5.33 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité