onsemi MMBT5179
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSC2757YMTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE RF Transistor 120 @ 5mA 10V 50mA 150mW 1.1GHz
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBT5179 fournies par ses distributeurs.
MMBT5179 Series 12 V CE Breakdown .05 A NPN RF Transistor - SOT-23
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current50 mA, maximum collector-emission voltage12 V
NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 mA to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)2.5 V
Frequency2 GHz
Gain15 dB
Gain Bandwidth Product900 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current50 mA
Max Frequency2 GHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency900 MHz
Voltage Rating (DC)12 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité