onsemi MMBFJ112
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPMBFJ112,215
PMBFJ112 Series 5 Vgs 50 mA SMT N-Channel junction FETs - SOT-23-3
NXP SemiconductorsPMBFJ109,215
PMBFJ108 Series Single N Channel 25 V 12 Ohm Surface Mount JFET - SOT-23
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBFJ112 fournies par ses distributeurs.
onsemi JFET, Npassageway, surface mount installation, SOT-23encapsulation, 3Pin, Idss: min. 5mA
MMBF Series N-Channel 35 V 5 mA SMT Low Noise Amplifier - SOT-23-3
N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr: -35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: -; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -5V; Transistor Case Style: SOT-23; Transistor Type: JFET; No. of Pins: 3 Pin; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins: 3Pins; Power Dissipation Pd: 350mW
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-35 V
Continuous Drain Current (ID)5 mA
Current Rating5 mA
Drain to Source Resistance50 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-35 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)35 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité