onsemi MMBF4416A
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-06-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBF4416A fournies par ses distributeurs.
35V 225mW 0.8pF@15V N Channel 4pF@15V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-23-3L MOSFETs ROHS
Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Package/Case:SOT-23; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Current Rating:10mA; Mounting Type:Surface Mount; Voltage Rating:35V ;RoHS Compliant: Yes
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Breakdown Voltage Vbr: -35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6V; Transistor Case Style: SOT-23; Transistor Type: RF FET; No. of Pins: 3 Pin; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins: 3Pins; Power Dissipation Pd: 225mW
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-35 V
Continuous Drain Current (ID)15 mA
Current Rating10 mA
Element ConfigurationSingle
Frequency400 MHz
Gate to Source Voltage (Vgs)-35 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Noise Figure4 dB
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Test Current5 mA
Test Voltage15 V
Voltage Rating35 V
Voltage Rating (DC)35 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité