onsemi MJE5731G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-07-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MJE5731G fournies par ses distributeurs.
ON SEMI MJE5731G PNP HIGH VOLTAGE BIPOLAR TRANSISTOR, 1 A, 350 V, 3-PIN TO-220
350V 40W 1A PNP TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
1.0 A, 350 V PNP Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
MJE573X Series 375 V 1 A PNP Silicon Plastic Power Transistor TO-220AB
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Transistor, Pnp, -350V, 40W, To-220; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-350V; Transition Frequency Ft:10Mhz; Power Dissipation Pd:40W; Dc Collector Current:-1A; Dc Current Gain Hfe:10Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJE5731G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)-350 V
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité