onsemi MJE18006G
$ 1.065
Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-07-24
LTD Date2012-01-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
NXP SemiconductorsPHE13007,127
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi MJE18006G fournies par ses distributeurs.
6.0 A, 450 V NPN Bipolar Power Transistor
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 450V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
NPN 100W 9V 100μA 450V 6A TO-220 Through hole mounting 10.28mm*4.82mm*9.28mm
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency Typ ft:14MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:14
The MJE/MJF18006 have an applications specific state-of-the-art die designed for use in 220 V line-operated Switchmode Power supplies and electronic l ballasts. These high voltage/high speed transistors offer the following:
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1 kV
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)450 V
Current Rating6 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
Frequency14 MHz
Gain Bandwidth Product14 MHz
hFE Min6
Max Collector Current6 A
Max Frequency14 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Transition Frequency14 MHz
Voltage Rating (DC)450 V
Dimensions
Height19.85 mm
Length10.28 mm
Width4.82 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité