onsemi MJD47TF
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2019-07-31
LTD Date2020-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi MJD47TF fournies par ses distributeurs.
1.0 A, 250 V High Voltage NPN Bipolar Power Junction Transistor
NPN 1.56 W 250 V 1 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS NPN 250V 1A DPAK
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
1V@ 200mA,1A NPN 1.56W 5V 200μA 350V 250V 1A TO-252-3 SMD mount 6.6mm*6.1mm*2.3mm
Transistor; Transistor Type:Darlington; Package/Case:3-TO-252; Termination Type:SMD; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Mounting Type:Through Hole; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)350 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency10 MHz
Gain Bandwidth Product10 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage250 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency10 MHz
Voltage Rating (DC)250 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité