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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2019-07-31
LTD Date2020-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi MJD3055TF fournies par ses distributeurs.
NPN Bipolar Power Transistor, 10 A, 60 V
MJD3055 Series 60 V 10 A Surface Mount NPN Epitaxial Silicon Transistor - DPAK-3
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin (2+Tab) DPAK T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 1.75W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 5hFE; Transi
Transistor; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:10000mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.1V; Power Dissipation, Pd:1750mW ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)70 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency2 MHz
Gain Bandwidth Product2 MHz
hFE Min5
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current10 A
Max Frequency2 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency2 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité