onsemi KST5087MTF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.MMBTA55-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC856B-13-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi KST5087MTF fournies par ses distributeurs.
50V 350mW 50mA PNP SOT-23(SOT-23-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 250 @ 100muA 5V 50nA ICBO 350mW 40MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
PNP Epitaxial Silicon Transistor
TAPE REEL/NPN/40V/0.6A/100-300 SOT-23
KST5087MTF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating-50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-3 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current50 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité