onsemi KSP92TA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSA1625KTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP Bipolar (BJT) Transistor 100 @ 50mA 5V 500mA 750mW 10MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi KSP92TA fournies par ses distributeurs.
KSP92 Series 300 V CE Breakdown 0.5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92
Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
TRANSISTOR PNP 300V 0.5A TO-92
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
250nA 300V 625mW 500mA 25@30mA10V 50MHz 500mV@20mA2mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi PNPTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current-500 mA, maximum collector-emission voltage-300 V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
MountSurface Mount, Through Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240.007063 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current500 mA
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency50 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage300 V
Voltage Rating (DC)-300 V
Dimensions
Height8.77 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité