onsemi KSH200TF
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiFJD5304DTF
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi KSH200TF fournies par ses distributeurs.
NPN 1.4 W 25 V 5 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Supplied as a Tape, ON Semi KSH200TF NPN Transistor, 5 A, 25 V, 3-Pin DPAK
Trans GP BJT NPN 25V 5A 3-Pin (2+Tab) TO-252 T/R
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 65MHz; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: 5A; DC Current Gain hFE: 10hFE; Trans
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency65 MHz
Gain Bandwidth Product65 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current5 A
Max Frequency100 kHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.4 W
Transition Frequency65 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité