onsemi KSC2383OTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSC2383YBU
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsBUJ100,412
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi KSC2383OTA fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR,BJT,NPN,160V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92 18C7030;
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSC2383 Series NPN 900 mW Through Hole Epitaxial Silicon Transistor - TO-92L
Trans GP BJT NPN 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-92L-3
1Ã×A 160V 900mW 1A 100@200mA5V 100MHz 1.5V@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3LF Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight371.1027 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation900 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height11.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité