onsemi KSC2330OTA
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Obsolete
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Pièces de rechange
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSC2330RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSC2330YBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 20mA 10V 100nA ICBO 1W 50MHz
onsemiKSC2331YBU
Bulk Through Hole NPN KSC2331 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 50mA 2V 700mA 1W 50MHz
Diodes Inc.APT27ZTR-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi KSC2330OTA fournies par ses distributeurs.
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 1000mW 3-Pin TO-92L Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight371.1027 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min70
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité