onsemi KSC1008YBU
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSC1008OBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiKSC1008GBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiKSC1008COBU
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi KSC1008YBU fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
NPN Transistor 80V 60V 700mA 800mW 400mV@50mA,500mA 100nA TO-92-3 TH 4.7mm × 3.93mm × 4.7mm
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Bag
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
60V 800mW 700mA 120@50mA2V 50MHz 200mV@500mA50mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR NPN 60V 700MA TO-92
TRANSISTOR, NPN, 60V, 0.7A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 800mW; DC Collector Current: 700mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Tra
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating700 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min120
Max Collector Current700 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité