onsemi KSC1008CYTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSC1008GTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi KSC1008CYTA fournies par ses distributeurs.
TRANS NPN 60V 0.7A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 700 mA 50MHz 800 mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
Bipolar Transistors (BJT); KSC1008CYTA; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 60 V; 700 mA
60V 800mW 700mA NPN TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 60V 0.7A 800mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
TRANSISTOR, NPN, 60V, 0.7A, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:700mA; Power Dissipation:800mW; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Qualification:- RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating700 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)8 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current700 mA
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height4.7 mm
Length4.7 mm
Width3.93 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité