onsemi KSB596YTU
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSB1017YTU
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi KSB596YTU fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 4A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
1.7V@ 300mA,3A PNP 30W 5V 70¦ÌA 80V 80V 4A TO-220-3 9.4mm
TRANSISTOR, PNP, -80V, -4A, TO-220-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 30W; DC Collector Current: -; Available until stocks are exhausted
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min120
Max Collector Current4 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation30 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length9.2 mm
Width4.5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité