onsemi KSA992FTA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSB564AYTA
Tape & Box (TB) Through Hole PNP KSB564 Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 1V 1A 800mW 110MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi KSA992FTA fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
KSA992 Series PNP 500 mW 120V 50 mA Through Hole Epitaxial Transistor - TO-92
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
50nA 120V 500mW 50mA 500@1mA6V 100MHz 90mV@10mA1mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANS, BIPOL, PNP, -120V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:100MHz; Power
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage-90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)120 V
Current Rating-50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-120 V
Dimensions
Height8.77 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité