onsemi KSA992FATA
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-08-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiKSA992FBTA
Pnp Epitaxial Silicon Transistor/ Fnfld Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSA992FBTA
onsemiKSB1116AGBU
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
onsemiKSB1116ALTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descriptions
Descriptions de onsemi KSA992FATA fournies par ses distributeurs.
TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 50 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
300mV@ 1mA,10mA PNP 500mW 5V 1¦ÌA 120V 120V 50mA TO-92-3 4.58mm*4.58mm
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Xsistr
TRANSISTOR PNP 120V 0.05A TO92-3
50nA 120V 500mW 50mA 500@1mA6V 100MHz 90mV@10mA1mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage-90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)-120 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Dimensions
Height8.77 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité