onsemi KSA1013YBU
$ 0.195
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | KSA1013YBU | 10 123 | 6250 | 2d | ||||||||
| Newark | KSA1013YBU | 1 936 | 5 | |||||||||
| Verical | KSA1013YBU | 32 159 | 1979 | |||||||||
| Master Electronics | KSA1013YBU | 5 750 | 250 | |||||||||
| Onlinecomponents.com | KSA1013YBU | 5 750 | 250 | Bulk |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi KSA1013YBU fournies par ses distributeurs.
KSA1013 Series 160 V 1 A Through Hole PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
1.5V@ 50mA,500mA PNP 900mW 6V 1¦ÌA 160V 160V 1A TO-92-3 4.9mm*3.9mm*8mm
Trans GP BJT PNP 160V 1A 900mW 3-Pin TO-92L Bag
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
TRANS, BIPOL, PNP, -160V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -160V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: -1A; DC Current Gain hFE: 160hFE; Tr
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-226-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight185 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-160 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current1 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation900 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)-160 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité