onsemi IRLR130ATM
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-06-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2011-06-01
LTD Date2011-12-01
Pièces détachées
InfineonIRFR3910TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
InfineonIRFR3910TRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.115Ohm;ID 16A;D-Pak (TO-252AA);PD 79W
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
Descriptions
Descriptions de onsemi IRLR130ATM fournies par ses distributeurs.
2.5W(Ta),46W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 24nC@ 5V 1N 100V 120m¦¸@ 6.5A,5V 755pF@25V DPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 13A Tc 2.5W Ta 46W Tc 100V -55C~150C TJ
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3
MOSFETs 100V N-Channel a-FET Logic Level
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : Restocked
Modèles CAO
0 models available
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance755 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation46 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max120 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Fiches techniques et documents
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