onsemi HGTG12N60C3D
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-07-29
LTD Date2022-01-29
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
onsemiFGH40N60SMD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
STMicroelectronicsSTGW30NC60WD
Transistor IGBT Chip N-Channel 600 Volt 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247
STMicroelectronicsSTGW39NC60VD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronicsSTGW35NB60SD
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descriptions
Descriptions de onsemi HGTG12N60C3D fournies par ses distributeurs.
24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Trans IGBT Chip N=-CH 600V 24A 104000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
IGBT, N, 3-TO-247; DC Collector Current: 24A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: 104W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pins: 3Pins; Operati
Single Igbt, 600V, 24A; Collector Current:24A; Power Dissipation:104W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi HGTG12N60C3D
The HGTG12N60C3D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage dorp varies only moderately 25°C and 150°C. The IBGT used is the development type TA49123. The diode in anti parallel with the IGBT is the development type TA49061.The IGBT is ideal for mant high voltage switching applications operating at moderate frquencies where low conduction losses are essential.Formerly Developmental Type TA49117.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Current Rating24 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time275 ns
Max Collector Current24 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Power Dissipation104 W
Reverse Recovery Time42 ns
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.82 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité