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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-07-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-06-23
LTD Date2009-12-23
Pièces détachées
onsemiFQPF2N80YDTU
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTP5NK80ZFP
N-channel 800 V, 1.9 Ohm, 4.3 A, Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF2N90 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 900V 1.4A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 900V N-Channel QFET
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:900V; Current, Id Cont:1.4A; Resistance, Rds On:7.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220F; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:5.6A; No. of Pins:3; Power Dissipation:35W; Power, Pd:35W; Voltage, Vds Max:900V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.4 A
Current Rating1.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max7.2 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité