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Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi FQPF2N50.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Pièces détachées
STMicroelectronicsSTF2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA50R950CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO220-FP N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 25.7W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
STMicroelectronicsSTP5NK50ZFP
N-Ch MOSFET 500V 4.4A 70W(Tc) 1.5Ω@2.2A,10V 535pF@25V TO-220FP TH 10.4mm × 4.6mm × 9.3mm
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF2N50 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 500V 1.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
20W(Tc) 5V@ 250µA 8nC@ 10V 1individualNChannel 500V 5.3Ω@ 650mA,10V 230pF@25V TO-220F Through hole mounting
Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 500V, 5.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -100%
Modèles CAO
0 modèles disponibles
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating1.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance5.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max5.3 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité