onsemi FQPF22N30
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-12
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF22N30 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 300V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
N-Channel QFET® MOSFET 300V, 12A, 160mΩ
Transistor,mosfet,n-Channel,300V V(Br)Dss,12A I(D),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF22N30
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating12 A
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation56 W
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation56 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time230 ns
Turn-Off Delay Time85 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)300 V
Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité