onsemi FQPF16N15
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-05-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi FQPF16N15 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 150 V, 11.6 A, 160 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 150V 11.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube / MOSFET N-CH 150V 11.6A TO-220F
N-Ch/150V/11.6A/0.165Ohm Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF16N15
Power Field-Effect Transistor, 11.6A I(D), 150V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.6 A
Current Rating16.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation53 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation53 W
Rds On Max160 mΩ
Rise Time115 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité